品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF11N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@3.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF11N90C
输入电容:3290pF@25V
漏源电压:900V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:1.1Ω@3.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: