采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：138psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：散装
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：149}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
包装方式：卷带（TR）
功率：120W
导通电阻：28mΩ@44A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：7.2A€44A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1710pF@25V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：124，"06+"：87，"07+"：36，"13+"：74}
包装规格(MPQ)：138psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：散装
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：124，"06+"：87，"07+"：36，"13+"：74}
包装规格(MPQ)：138psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：散装
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：700，"22+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：124，"06+"：87，"07+"：36，"13+"：74}
包装规格(MPQ)：138psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：散装
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3007STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3270pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：12.6mΩ@48A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：124，"06+"：87，"07+"：36，"13+"：74}
包装规格(MPQ)：138psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：散装
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75631S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
