采购热线 400-661-9010
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：48000}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：12.6A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1500pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：19mΩ@9A，10V
功率：4.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
漏源电压：30V
包装方式：Reel
栅极电荷：24.8nC
阈值电压：2.2V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：8.6mΩ
ECCN：EAR99
功率：4.8W
类型：MOSFET
连续漏极电流：21.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：12.6A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1500pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：19mΩ@9A，10V
功率：4.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
漏源电压：30V
包装方式：Reel
栅极电荷：24.8nC
阈值电压：2.2V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：8.6mΩ
功率：4.8W
类型：MOSFET
连续漏极电流：21.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLA5065
工作温度：150℃
功率：4.8W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：4个N通道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R7-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：21.5A
类型：MOSFET
导通电阻：8.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12.6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
