采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3000pF@25V
包装方式：管件
连续漏极电流：35A
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3000pF@25V
包装方式：管件
连续漏极电流：35A
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
