销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
阈值电压:4.75V@250µA
输入电容:800pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
包装方式:管件
功率:30W
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
阈值电压:4.75V@250µA
输入电容:800pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
包装方式:管件
功率:30W
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A60Y,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: