采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF5N50D-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@100V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@2.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@2.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF5N50D-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@100V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF5N50D-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@100V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN95H8D5HCTI
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
功率：30W
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@2.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
