品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):766psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:散装
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI720GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF22N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@360µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: