品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4L+":3000}
包装规格(MPQ):541psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0395DPA-00#J53
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Macom
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):20psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF148A
功率:30W
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100μA
栅极电荷:60.5nC@10V
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.9A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1650}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0702DPP-E0#T2
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:6.45nF@10V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@45A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3A+":24000,"3B+":81000,"3C+":84000,"4L+":8615}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B7DPA-00#J5A
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1650}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0702DPP-E0#T2
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:6.45nF@10V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@45A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3A+":24000,"3B+":81000,"3C+":84000,"4L+":8615}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B7DPA-00#J5A
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"0C+":19800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0366DPA-00#J0
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:1.01nF@10V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"0C+":19800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0366DPA-00#J0
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:1.01nF@10V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8451
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@20V
连续漏极电流:9A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,9A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Macom
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):20psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF137
功率:30W
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544-ES
功率:30W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:48nC
输入电容:2.2nF
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:242pF
导通电阻:4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":39}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF9030MBR1
功率:30W
ECCN:EAR99
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2D+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B7DPA-00#J53
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"0C+":19800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0366DPA-00#J0
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:1.01nF@10V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380P60Y,RQ
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,4.9A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3M+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0395DPA-00#J5A
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: