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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF21NM60ND
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560A60Y，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A60DA(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6012DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：920mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6012DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：920mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6012DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：920mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380A60Y，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@360µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1877}
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
栅极电荷：37.5nC@10V
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
输入电容：1450pF@25V
包装方式：管件
功率：30W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4K1A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@300V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@300V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@3.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@400µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@400µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4K1A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@300V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
