采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1287}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@65A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40081EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40061EL-T4_GE3
输入电容：14500pF@25V
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：107W
漏源电压：40V
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
