生产批次：{"22+"：5000}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MDT08N06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：3nF@30V

连续漏极电流：80A

类型：1个N沟道

反向传输电容：240pF@30V

导通电阻：7mΩ@10V，20A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

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包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

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功率：107W

阈值电压：3.3V

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栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MDT08N06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

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连续漏极电流：80A

类型：1个N沟道

反向传输电容：240pF@30V

导通电阻：7mΩ@10V，20A

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB17N25S3-100

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

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连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：250V

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包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

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连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB144N12N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：2V

栅极电荷：49nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：56A

类型：MOSFET

导通电阻：12.3mΩ

漏源电压：120V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB144N12N3 G

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阈值电压：2V

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类型：MOSFET

导通电阻：12.3mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

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连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP033N04NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.4V

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连续漏极电流：113A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

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包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP033N04NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.4V

栅极电荷：45nC

连续漏极电流：113A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

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生产批次：{"22+"：5000}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

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功率：107W

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栅极电荷：39nC

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

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功率：107W

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类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

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包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

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栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

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包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB144N12N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：2V

栅极电荷：49nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：56A

类型：MOSFET

导通电阻：12.3mΩ

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：5000}

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

连续漏极电流：137A

包装方式：Reel

功率：107W

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：3mΩ

ECCN：EAR99

阈值电压：3.3V

类型：MOSFET

栅极电荷：39nC

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

连续漏极电流：137A

包装方式：Reel

功率：107W

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：3mΩ

阈值电压：3.3V

类型：MOSFET

栅极电荷：39nC

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB144N12N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：2V

栅极电荷：49nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：56A

类型：MOSFET

导通电阻：12.3mΩ

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：775}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MDT08N06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

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连续漏极电流：80A

类型：1个N沟道

反向传输电容：240pF@30V

导通电阻：7mΩ@10V，20A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MDT08N06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：3nF@30V

连续漏极电流：80A

类型：1个N沟道

反向传输电容：240pF@30V

导通电阻：7mΩ@10V，20A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP033N04NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.4V

栅极电荷：45nC

连续漏极电流：113A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：775}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG80N06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：3nF@30V

连续漏极电流：80A

类型：1个N沟道

反向传输电容：240pF@25V

导通电阻：7mΩ@10V，20A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1