采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
栅极电荷：13.4nC@18V
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输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：810}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：810}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：810}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：491pF@800V
导通电阻：189mΩ@6A，18V
栅极电荷：13.4nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：491pF@800V
导通电阻：189mΩ@6A，18V
栅极电荷：13.4nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW140N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@18V
包装方式：管件
输入电容：691pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：810}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：810}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW140N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@18V
包装方式：管件
输入电容：691pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R140M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：5.7V@2.5mA
栅极电荷：13.4nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：491pF@800V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：189mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
