销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
漏源电压:650V
输入电容:3.528nF@100V
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4.75V@250μA
类型:1个N沟道
功率:240W
连续漏极电流:55A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:240W
阈值电压:3.5V@1.6mA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3nF@300V
连续漏极电流:27.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@13.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STO68N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.528nF@100V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@27.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:240W
阈值电压:3.5V@1.6mA
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:3nF@300V
连续漏极电流:27.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@13.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: