采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：87，"20+"：890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@7.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6540pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R5-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB15N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.5V@120µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6540pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：3.5V@120µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6540pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
