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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
输入电容：290pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
类型：1个P沟道
功率：450mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2101A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：130mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：670mA€530mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：670mA€530mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
