采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：12696}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT1043M-EL-E
功率：1.05W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
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输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：12696}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT1043M-EL-E
功率：1.05W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
