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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：57W（Tc）
阈值电压：3.6V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1710 pF @ 30 V
连续漏极电流：60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.5 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：57W（Tc）
阈值电压：3.6V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1710 pF @ 30 V
连续漏极电流：60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.5 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.5 毫欧 @ 15A，10V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：60A（Tc）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：57W（Tc）
阈值电压：3.6V @ 250µA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
输入电容：1710 pF @ 30 V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
栅极电荷：41 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：80V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
阈值电压：2.5V @ 120µA
输入电容：2940 pF @ 40 V
功率：57W（Tc）
导通电阻：7 毫欧 @ 21A，10V
连续漏极电流：66A（Tc）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
