品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1720,"23+":38019,"24+":5190}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14380,"23+":20287,"MI+":7235}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1720,"23+":38019,"24+":5190}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":16500,"17+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI100N04S4H2AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1500,"22+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1500,"22+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":16500,"17+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI100N04S4H2AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: