采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP113-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRLPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9310TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：7Ω@1.1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
