采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD44N4LF6
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD44N4LF6
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
功率：50W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：5340pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15.7A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：50W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：75mΩ@12A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1465pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15.7A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：50W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：75mΩ@12A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1465pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD44N4LF6
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@20A，10V
功率：50W
连续漏极电流：44A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1190pF@25V
栅极电荷：22nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
