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    包装方式: 卷带(TR)
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    TI Mosfet场效应管 CSD22206W
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:534
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:20+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD22204WT
    TI Mosfet场效应管 CSD22204WT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22206WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD22204WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22204WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W
    TI Mosfet场效应管 CSD22206W

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22206W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.05V@250µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2275pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:300
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