品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1213}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0105N407L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:291nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23100pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@267µA
栅极电荷:242nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:35A€315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:242nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:35A€315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@40V
连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":576}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:242nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:35A€315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:242nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:35A€315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:242nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:35A€315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@40V
连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623,"23+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0105N407L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:291nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23100pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623,"23+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0105N407L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:291nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23100pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@40V
连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS38N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623,"23+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0105N407L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:291nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23100pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623,"23+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0105N407L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:291nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23100pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@40V
连续漏极电流:37A€330A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:242nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@50V
连续漏极电流:35A€315A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0105N407L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:291nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23100pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS38N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1372,"23+":3565}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC019N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:31A€279A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS38N20DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: