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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14660}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14660}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0308AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：24A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14660}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：840}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0308AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：24A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0308AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：24A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0308AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：24A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0308AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：24A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：840}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0308AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：24A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@15V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
