采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3405pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3249pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3249pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2760pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@17A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3405pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N65M2
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2355pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N65M2
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2355pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N65M2
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2355pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2760pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@17A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2740pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N65M2
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2355pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3249pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
