采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2760pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@17A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
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输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
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功率：250W
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类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2760pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@17A，10V
漏源电压：650V
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功率：250W
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栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
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品牌：TI
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
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连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
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品牌：TI
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规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2760pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@17A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：274A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
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功率：250W
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类型：N沟道
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漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB35N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2760pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@17A，10V
漏源电压：650V
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