品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT054N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@181µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:143A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21900pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21900pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB011N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:346nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:29000pF@20V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB060N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@68A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@68A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB016N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4680,"24+":183}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT054N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@181µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:143A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB015N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:346nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB011N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:346nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:29000pF@20V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB016N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB011N04NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@20V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB060N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@68A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB060N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@180µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@68A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S4H0ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@180µA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17940pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB1D7N10CL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@50V
连续漏极电流:268A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@100A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6860pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB016N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N007EAUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@130µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9898pF@25V
连续漏极电流:435A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N005AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@145µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11144pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:0.55mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N007AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@130µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9898pF@25V
连续漏极电流:435A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N007EAUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9898pF@25V
连续漏极电流:435A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3664}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB1D7N10CL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@50V
连续漏极电流:268A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@100A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6860pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: