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    功率: 250W
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB20N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH22N95K5-2AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STH22N95K5-2AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH22N95K5-2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N50DM2AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N50DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:84mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB20N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB21N90K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB21N90K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB21N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1645pF@100V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@9A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB47N60DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB47N60DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB47N60DM6AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB110N20N3LFATMA1 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB110N20N3LFATMA1 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB110N20N3LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.2V@260µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@88A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH13N120K5-2AG 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STH13N120K5-2AG 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH13N120K5-2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:44.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:690mΩ@6A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":330,"23+":122}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30N80K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STB30N80K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB25N80K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB25N80K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB25N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:19.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30N80K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB30N80K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB20N95K5 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB20N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@9A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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