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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-GE3
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功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP170N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8710pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：STP170N8F7
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阈值电压：4.5V@250µA
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规格型号(MPN)：STP170N8F7
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-GE3
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输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：SiHB28N60EF-GE3
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连续漏极电流：28A
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类型：N沟道
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP170N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8710pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
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导通电阻：3.9mΩ@60A，10V
连续漏极电流：120A
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工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
功率：250W
类型：N沟道
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阈值电压：4V@250µA
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输入电容：2714pF@100V
栅极电荷：120nC@10V
导通电阻：123mΩ@14A，10V
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包装方式：管件
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连续漏极电流：120A
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工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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栅极电荷：120nC@10V
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8710pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8710pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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