品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":28}
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PTNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH13N120K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH13N120K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH13N120K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH12N120K5-2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH12N120K5-2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH13N120K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH12N120K5-2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH12N120K5-2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH12N120K5-2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH13N120K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH13N120K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":28}
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: