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    功率: 250W
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    包装方式: 管件
    类型: N沟道
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB28N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG30N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG30N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG 起订600个装
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG 起订600个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2568pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW34NM60N

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2722pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STI47N60DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STI47N60DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STI47N60DM6AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订120个装
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订120个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW34NM60N

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2722pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW42N60M2-EP 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW42N60M2-EP 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW34NM60N

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2722pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP068N60EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP068N60EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW48N60M6-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW48N60M6-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48N60M6-4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2578pF@100V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM2AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM2AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW48N60M6-4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STW48N60M6-4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48N60M6-4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2578pF@100V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT10N60 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT10N60 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT10N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP34NM60N

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2722pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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