采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW50N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：52.5nC@10V
输入电容：52.5nF@100V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP015N04N G
功率：250W
阈值电压：4V@200μA
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，100A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD40N50
功率：250W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：153nC@10V
输入电容：7.8579nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：29.7pF@25V
导通电阻：90mΩ@10V，15A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@196μA
栅极电荷：206nC@10V
输入电容：17nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：120pF@30V
导通电阻：1.8mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@196μA
栅极电荷：206nC@10V
输入电容：17nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：120pF@30V
导通电阻：1.8mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N06N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@196μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：23nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：4.2nF@100V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@21A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB45N30M5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.24nF@100V
连续漏极电流：53A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
