品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N65M2
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2355pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW57N65M5-4
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N65M2
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2355pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N65M2
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2355pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW57N65M5
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@100V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@21A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW34NM60N
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2722pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9J90E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@900µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: