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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
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功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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栅极电荷：19.6nC@10V
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类型：N沟道
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
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连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
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输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
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漏源电压：800V
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功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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品牌：VISHAY
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：19.6nC@10V
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
阈值电压：4V@250μA
功率：62.5W
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：800V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
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