品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK765R0-100E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:11810pF@25V
导通电阻:5mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
栅极电荷:180nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:12000pF@25V
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1068}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:12000pF@25V
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:12000pF@25V
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
输入电容:5120pF@50V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
连续漏极电流:240A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:1789pF@800V
导通电阻:56mΩ@35A,20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
输入电容:5120pF@50V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK962R5-60E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:120nC@5V
类型:N沟道
输入电容:17450pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@25A,5V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:10000pF@40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":8000}
规格型号(MPN):FDBL86563-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
栅极电荷:169nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
输入电容:10300pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK961R6-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:120nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16400pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0150N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14,"22+":42}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK961R6-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:120nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16400pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK961R6-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:120nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16400pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: