品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
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输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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类型:N沟道
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
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连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
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输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
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导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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栅极电荷:19nC@4.5V
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导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
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导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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栅极电荷:19nC@4.5V
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输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
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连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: