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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSP21321
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功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSP21321
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功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：34nC@10V
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连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：AOSP21321
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功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
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功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSP21321
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功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
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类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
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栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
栅极电荷：34nC@10V
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功率：3.1W
输入电容：1949pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：17mΩ@12A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：53.7A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：34nC@10V
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功率：3.1W
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漏源电压：80V
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ECCN：EAR99
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LPSW-13
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W
输入电容：1949pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：17mΩ@12A，10V
连续漏极电流：53.7A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：11A
输入电容：1180pF@15V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
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