销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: