采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：14.8A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：14.8A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：14.8A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4268
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
