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    品牌: TI
    功率: 3.1W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16403Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16403Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16403Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1825

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17310Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@15V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17310Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@15V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17310Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@15V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17305Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17305Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17310Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@15V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17310Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17310Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1560pF@15V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":5572}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17553Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17553Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17553Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3252pF@15V

    连续漏极电流:23.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17553Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17553Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17553Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3252pF@15V

    连续漏极电流:23.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16401Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16401Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@12.5V

    连续漏极电流:38A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16322Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1365pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16413Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16413Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16413Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@12.5V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@24A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16403Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16403Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16403Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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