销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
输入电容:1120pF@30V
漏源电压:60V
类型:P沟道
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4441
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.173nF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: