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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW2P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW2P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：650mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.653nF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
输入电容：1.653nF@50V
功率：3.1W
栅极电荷：23nC@10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K2P10SE
输入电容：1.653nF@50V
功率：3.1W
栅极电荷：23nC@10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
反向传输电容：41pF@50V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
