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    品牌: DIODES
    功率: 3.1W
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4407 起订30个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4407 起订30个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4407

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:46nC

    输入电容:1.78nF

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:200pF

    导通电阻:8mΩ@10V,12.0A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF-ES 起订18个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF-ES 起订18个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7416TRPBF-ES

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:26.4nC

    输入电容:1.23nF

    连续漏极电流:10.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:145pF

    导通电阻:13.5mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 FDS4435BZ-ES 起订42个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 FDS4435BZ-ES 起订42个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4435BZ-ES

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V

    栅极电荷:26.4nC

    输入电容:1.23nF

    连续漏极电流:10.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:145pF

    导通电阻:13.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 FDS4435-ES 起订51个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 FDS4435-ES 起订51个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4435-ES

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V

    栅极电荷:26.4nC

    输入电容:1.23nF

    连续漏极电流:10.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:145pF

    导通电阻:13.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ES4407 起订30个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ES4407 起订30个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES4407

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:46nC

    输入电容:1.78nF

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:200pF

    导通电阻:9.5mΩ@10V.12A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4407 起订100个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4407 起订100个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4407

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:46nC

    输入电容:1.78nF

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:200pF

    导通电阻:8mΩ@10V,12.0A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 FQT7N10LTF-ES 起订12个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 FQT7N10LTF-ES 起订12个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT7N10LTF-ES

    功率:3.1W

    阈值电压:1.7V@250μA

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4A

    反向传输电容:25pF@25V

    导通电阻:125mΩ@10V,4A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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