采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF47P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：62W
漏源电压：40V
输入电容：6600pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
栅极电荷：115nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQPF47P06
栅极电荷：110nC@10V
功率：62W
输入电容：3600pF@25V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：26mΩ@15A，10V
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：30A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
