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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020YNXC7G
功率：62W
阈值电压：6V@1.65mA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
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规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
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输入电容：250pF@25V
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类型：1个N沟道
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功率：62W
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输入电容：250pF@25V
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类型：N沟道
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功率：62W
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输入电容：250pF@25V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
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输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
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功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：62W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：5V@1mA
输入电容：250pF@25V
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
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功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020YNXC7G
功率：62W
阈值电压：6V@1.65mA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6020YNXC7G
功率：62W
阈值电压：6V@1.65mA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020YNXC7G
功率：62W
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栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020YNXC7G
功率：62W
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栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.2nF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
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