品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG150N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:211W
阈值电压:3.9V@250μA
栅极电荷:108nC@10V
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,70A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4110
工作温度:-55℃~+175℃
功率:211W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:108nC@10V
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:180A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG150N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:211W
阈值电压:3.9V@250μA
栅极电荷:108nC@10V
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,70A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
输入电容:4.426nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG180N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:211W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:108nC@10V
输入电容:13.5nF@25V
连续漏极电流:180A
类型:1个N沟道
反向传输电容:635pF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,70A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG150N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:211W
阈值电压:3.9V@250μA
栅极电荷:108nC@10V
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,70A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG150N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:211W
阈值电压:3.9V@250μA
栅极电荷:108nC@10V
输入电容:6.6nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,70A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:211W
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
输入电容:4.426nF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:70.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: