采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
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功率：211W
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栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
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包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：493}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：6810pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4491pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19898，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
