品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2nC@4.5V
输入电容:43pF@10V
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:170mA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:430pC@4.5V
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250μA
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
输入电容:17pF@10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: