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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：25000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：210MHz
功率：325mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：210MHz
功率：325mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：40000，"21+"：5000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：30000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：4996，"21+"：10000，"22+"：15000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：34997}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：69955}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：210MHz
功率：325mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2652，"19+"：21000，"20+"：5028000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：35000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：210MHz
功率：325mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：28089}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：210MHz
功率：325mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：20000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：325mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
