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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF095A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF095A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF095A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R360P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：4V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
