采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA032N06N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：41W
阈值电压：3V
栅极电荷：124nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：84A
类型：MOSFET
导通电阻：3.2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA032N06N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：41W
阈值电压：3V
栅极电荷：124nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：84A
类型：MOSFET
导通电阻：3.2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：IPA032N06N3 G
阈值电压：3V
导通电阻：3.2mΩ
漏源电压：60V
包装方式：Tube
栅极电荷：124nC
连续漏极电流：84A
功率：41W
工作温度：-55℃~+175℃
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1770pF@10V
工作温度：175℃
类型：P沟道
功率：41W
连续漏极电流：15A
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTQ35N06A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：124pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6511J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.6nC@Vgs=10V
输入电容：1.01nF@Vds=30V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.9pF@Vds=30V
导通电阻：9mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ15S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
